簡要描述：等離(lí)子增強化學氣相沉積(jī)系統配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可将實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可将高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體内部的氣體壓力帶刻度的調節閥對於做低壓CVD非常簡單實用，工藝重複性好，對於石墨烯生長工藝非常合适，也适用於要求快速升降溫的CV
産品型号：TF1200-PECVD型廠商性質：經銷商更新時間：2018-11-06訪(fǎng) 問(wèn) 量：4584| 産地類别 | 國産 |
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TF1200-PECVD型等離(lí)子增強化學氣相沉積(jī)系統
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等離(lí)子體增強化學氣相沉積(jī)法
等離(lí)子增強化學氣相沉積(jī)系統
設備介紹：
本設備(bèi)是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電(diàn)離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。爲瞭(le)使化學反應能在較低的溫度下進行，利用瞭(le)等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱(chēng)爲等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
産品簡介：
此款設備(bèi)配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可将實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處(chù)，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可将高溫的管式爐直接推離樣品處(chù)，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。並(bìng)可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體内部的氣體壓力，帶刻度的調節閥對於(yú)做低壓CVD非常簡單實用，工藝重複性好，對於(yú)石墨烯生長(zhǎng)工藝非常合适，也同樣适用於(yú)要求快速升降溫的CVD實驗。
主要組成系統及特點：
本設備(bèi)主要由管式加熱爐體，真空系統，質子流量供氣系統，射頻等離(lí)子源，石英反應腔室等部件組成。
主要特點：
1、通過射頻電(diàn)源把石英真空室内的氣體變(biàn)爲離子态。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學氣相沉積(jī)所需的溫度更低。
3、可以通過(guò)射頻電(diàn)源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學氣相沉積(jī)速率高、均勻性好、*性和穩定性高。
5、廣泛應用於(yú)：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型矽(a-Si:H) 等。
開啓式真空管式爐技術參數 | |||||
| 石英管尺寸 | L1400mm *（根據需求選擇不同直徑(jìng)的石英管作爲反應室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。） | |||
加熱元件 | 摻钼鐵鉻鋁合金電阻絲 | ||||
測溫元件 | K型熱電偶 | ||||
加熱區長度 | 400mm | ||||
恒溫區長度 | 200mm | ||||
工作溫度 | ≤1100℃ | ||||
控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編(biān)程控制，具有超溫和斷偶報(bào)警功能 | ||||
控溫精度 | ±1℃ | ||||
升溫速率 | ≤20℃/min | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/3KW | ||||
質量供氣系統技術參(cān)數（根據(jù)需求選擇多路質子流量供氣系統。有兩路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供選擇。） | |||||
| 外形尺寸 | 600x600x600mm | |||
标準量程 | 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； | ||||
數顯壓力表測量範圍 | -0.1Mpa～0.15Mpa | ||||
極限壓力 | 3MPa | ||||
針閥 | 316不鏽鋼 | ||||
截止閥 | Φ6mm 316不鏽鋼(gāng)針閥(fá) | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/20W | ||||
響應時間 | 氣(qì)特性：1～4 Sec，電(diàn)特性：10 Sec | ||||
準確度 | ±1.5% | ||||
線性 | ±0.5～1.5% | ||||
重複精度 | ±0.2% | ||||
接口 | Φ6,1/4'' | ||||
真空系統技術參(cān)數（根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有DZK10-1（極限真空0.1Pa），GZK10-3（極限真空0.001Pa），以及進口高真空機(jī)組（極限真空0.0001Pa）供選擇。） | |||||
| 外型尺寸 | 600×600×600mm | |||
工作電電壓 | 220V±10% 50~60HZ | ||||
功率 | 400W | ||||
抽氣速率 | 4Ls | ||||
極限真空 | 4X10-2Pa | ||||
實驗真空度 | 1.0X10-1Pa | ||||
容油量 | 1.1L | ||||
進氣口口徑 | KF25 | ||||
排氣口口徑 | KF25 | ||||
轉速 | 1450rpm | ||||
射頻電(diàn)源（根據(jù)需求選擇強度不同的射頻電(diàn)源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電(diàn)源供選擇） | |||||
| 信号頻率 | 13.56 MHz±0.005% | |||
功率輸出範圍 | 5-300W 5W-500W可選 | ||||
最大反射功率 | 200W | ||||
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||||
功率穩定度 | ±0.1% | ||||
諧波分量 | ≤-50dbc | ||||
供電電壓 | 單(dān)相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ | ||||
整機效率 | >=70% | ||||
功率因素 | >=90% | ||||
冷卻方式 | 強制風冷 | ||||
艾科迅部分客戶(hù)（CVD及PECVD及管式爐(lú)系列）
等離(lí)子增強化學氣相沉積(jī)系統 常見PECVD系統組合 1. 1200度60滑軌(guǐ)式微型管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，300W射頻電(diàn)源 |
TF1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 |
2. 1200度60滑軌(guǐ)式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電(diàn)源 |
TF1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
3. 1200度60雙溫區滑軌(guǐ)式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電(diàn)源 |
TF1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
4. 1200度60三溫區滑軌(guǐ)式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電(diàn)源 |
TF1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
5. 1200度60微型預熱爐，1200度60滑軌(guǐ)式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電(diàn)源 |
TF1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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科研單位
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青島韓亞重工 | 安徽天康集團 | 河北神通光電科技有限公司 |
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凱(kǎi)銳衆成金剛(gāng)石工具有限公司 | 中聯(lián)科偉達(dá)技術股份有限公司 | 三鑫重工機械設備有限公司 |
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